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非晶硅太阳能电池的结构最常采用的是p-i-n结构,而不是单晶硅太阳能电池的p-n结构。这是因为:轻掺杂的非晶硅的费米能级移动较小,如果用两边都是轻掺杂的或一边是轻掺杂的另一边用重掺杂的材料,则能带弯曲较小,电池的开路电压受到;如果直接用重掺杂的p+和n+材料形成p+-n+结,那么,由于重掺杂非晶硅材料中缺陷态密度较高,少子寿命低,电池的性能会很差。因此,通常在两个重掺杂层当中淀积一层未掺杂的非晶硅层作为有源集电区。
PiN结中的i 层,是指的本征半导体,它有吸收阳光和拆分激子的作用。