异质结双极型晶体管变异质结

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异质结双极型晶体管（HBT）的发射结采用缓变异质结能提供更佳性能。

举例来说，AlGaAs/GaAs异质结由于其良好的晶格匹配，非常适合用于微波与光电器件及其集成电路的制造。

InP/InGaAs 或 InAlAs/InGaAs异质结的晶格能匹配特性，特别是InGaAs的电子迁移率比GaAs高1.6倍，比Si高9倍，进一步优化了HBT的性能。

对于Si/SiGe异质结，虽然晶格不匹配，但通过采用应变层（厚度小于0.2μm）进行弹性调节，可显著提升器件性能。另外，这种异质结与硅工艺兼容，且Si和SiGe的禁带能量差（ΔEg）接近电场能量差（ΔEv），特别适合n-p-n型的HBT应用。

扩展资料

发射区、基区和收集区由禁带宽度不同的材料制成的晶体管。W.B.肖克莱于1951年提出这种晶体管的概念。70年代中期，在解决了砷化镓的外延生长问题之后，这种晶体管才得到较快的发展。最初称为“宽发射区”晶体管。其主要特点是发射区材料的禁带宽度EgB大于基区材料的禁带宽度EgE。