内存的时序11-12-11表示什么?
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发布时间：2022-04-24 02:15
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热心网友
时间：2022-07-07 07:00
一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，它们的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，它是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上; RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间; RAS Precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间; Row Active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。
你说的11-12-11是前三个延迟：
tCAS：列寻址所需要的时钟周期（周期的数量表示延迟的长短）
tRCD：行寻址和列寻址时钟周期的差值
tRP：在下一个存储周期到来前，预充电需要的时钟周期
参考文献
http://ke.baidu.com/view/1041791.htm
