SRAM和DRAM依靠什么原理存储信息?
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发布时间：2022-04-01 09:46
共4个回答
懂视网
时间：2022-04-01 14:07
动态随机存储器使用的是MOS管的输入电容来表示存储信息。
动态随机存取存储器，最为常见的系统内存，即DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一种半导体存储器。主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特（bit）是1还是0。DRAM只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。一般计算机系统使用的随机存取内存（RAM）可分动态（DRAM）与静态随机存取内存（SRAM）两种，差异在于DRAM需要由存储器控制电路按一定周期对存储器刷新，才能维系数据保存，SRAM的数据则不需要刷新过程，在上电期间，数据不会丢失。
在半导体科技极为发达的，内存和显存被统称为记忆体（Memory），全名是动态随机存取记忆体（Dynamic Random Access Memory，DRAM）。基本原理就是利用电容内存储电荷的多寡来代表0和1，这就是一个二进制位元（bit），内存的最小单位。DRAM的结构可谓是简单高效，每一个bit只需要一个晶体管另加一个电容。但是电容不可避免的存在漏电现象，如果电荷不足会导致数据出错，因此电容必须被周期性的刷新（预充电），这也是DRAM的一大特点。而且电容的充放电需要一个过程，刷新频率不可能无限提升（频障），这就导致DRAM的频率很容易达到上限，即便有先进工艺的支持也收效甚微。随着科技的进步，以及人们对超频的一种意愿，这些频障也在慢慢解决。
热心网友
时间：2022-04-01 11:15
此二者为动态记忆体是挥发性记忆体，也就是会资料随著电源关闭而消失，不会保存下来。
可视为一种暂存功能。
此二者都是靠1(高电压表示)或0(低电压表示)来表示资料数据
并采用「行、列」方式来定址储存资料
但因DRAM是利用电容储存电荷，因电容的特性，其电荷会随时间而下降，所以需要不停的reflash，来表示0或1，以维持资料的正确性。
总结：
二者相同处：采用「行、列」方式来定址储存资料，依靠电荷0/1来表达资料数据。
二者异：
>DRAM
-由电容器组成-须定时重覆充电更新
-容量可以很大、密度高-一般都是做为系统的主记忆体
-速度较慢、价钱较便宜
► SRAM
-由正反器组成-不须定时重覆充电更新
-容量无法做大、密度低一般做为快取记忆体或BUFFER
-速度较快、价钱较贵
热心网友
时间：2022-04-01 12:33
SRAM:同步随机存储器 （一般用于嵌入式处理器的内存）S:synchronous
DRAM:动态随机存储器（很少用了） D：dynamic
SDRAM：同步动态随机存储器（很早的内存）
DDR SDRAM (双沿触发SDRAM,表示一个时钟周期触发两次)
DDR2 SDRAM (现在的主流，比第一代增加内部倍频，这个很少人知道)
DDR3 SDRAM （第三代DDR，进一步增加了内部倍频，改善了寻址方式）
晕，怎么是0分，才注意到
存储数据基本原理无外乎都是利用电容保存的电压信息表示0.1状态，实际的东西比这个复杂多了。
热心网友
时间：2022-04-01 14:08
SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率
