专利名称：一种后金属栅极中功函数层调节方法专利类型：发明专利发明人：何志斌,景旭斌申请号：CN201510608987.X申请日：20150922公开号：CN105336692A公开日：20160217
摘要：本发明涉及半导体器件优化领域，尤其涉及一种后金属栅极工艺中调节功函数层的方法，通过在高k后金属栅半导体工艺中，利用铝离子注入TiN并退火形成TiAlN，替代单独淀积的TiAl层实现NMOS功函数层。只用一次金属膜淀积就实现了N型和P型两种功函数层，还省去了一般后金属栅制程中的阻挡层及选择性去除工艺，大大地简化了制程，同时通过控制Al的注入量也更容易实现NMOS功函数的调节。
申请人：上海华力微电子有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
国籍：CN
代理机构：上海申新律师事务所
代理人：俞涤炯
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